Белорусский Государственный Университет  Информатики и Радиоэлектроники
БГУИР
BSUIR

 

Мигас Дмитрий Борисович

CV


Google Scholar
Scopus
Репозитории БГУИР

Читаемые дисциплины
I ступень:
- Физика конденсированного состояния
- Моделирование наноструктур
- Нанотехнологии в производстве изделий электронной техники
II ступень:
- Актуальные проблемы нанотехнологий и новые материалы в электронике
- Современные проблемы физики конденсированных сред
- Проектирование технологий формирования наноструктур и изделий на их основе

Область профессиональных интересов/исследований

Моделирование электронных, транспортных и оптических свойств твердых тел (кремний, германий, силициды, германиды, станиды, оксиды металлов, соединения AIII-BV) и наноструктур на их основе.

Образование
Высшее - Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР)

Стажировки и научное сотрудничество
На постоянной основе (1999 - 2020 годы) Нанянгский технологический университет (Сингапур), Королевский технологический институт (г. Стокгольм, Швеция), Университет Милано-Бикокка (г. Милан, Италия), Дальневосточный федеральный университет (г. Владивосток, Россия)

Повышение квалификации
С 29.01.2018 по 02.02.2018 прошел повышение квалификации в ГУО «Республиканский институт высшей школы» по программе «Система образования Республики Беларусь в рамках европейского пространства высшего образования», свидетельство №2899266

Трудовая деятельность
В 1995 г. по окончании (БГУИР) получил квалификацию инженера электронной техники. В 1995 г. поступил в аспирантуру БГУИР и в 1998 г. защитил диссертацию на соискание степени кандидата физико-математических наук по теме «Фундаментальные электронные, оптические и транспортные свойства полупроводникового дисилицида железа». С 1999 по 2001 гг. работал в качестве научного сотрудника Итальянского института физики твёрдого тела (Милан, Италия), а с 2001 по 2004 гг. - старшим научным сотрудником этого института. С 2004 по 2006 гг. занимал исследовательскую позицию в Университете города Луисвилля (Луисвилль, США). С 2008 по 2010 обучался в докторантуре БГУИР. С 2010 по 2011 был старшим научным сотрудником НИЛ 4.12 «Электрохимически структурированных наноматериалов». В 2011 г. защищена докторская диссертация по теме «Структура, фундаментальные электронные и оптические свойства полупроводниковых силицидов и кремниевых наноразмерных шнуров». В настоящее время работает профессором на кафедре микро- и наноэлектроники БГУИР.

Основные научные публикации
1) Атомарная структура, фундаментальные электронные, оптические и магнитные свойства низкоразмерных структур из полупроводников / В. Е. Борисенко, Д. Б. Мигас, А. В. Кривошеева, В. А. Пушкарчук, А. Б. Филонов, В. Л. Шапошников // Доклады БГУИР. - 2019. - Т .2, № 120. - С. 73 - 84.

2) Conductive CaSi2 transparent in the near infra-red range / N. G. Galkin, S. A. Dotsenko, K. N. Galkin, A. M. Maslov, D.B. Migas, V. O. Bogorodz, A. B. Filonov, V. E. Borisenko, I. Cora, B. Pecz, D. L. Goroshko, A. V. Tupkalo, E. A. Chusovitin, E. Y. Subbotin // J. Alloys Compd. - 2019. - Vol. 770, № 2. - P. 710-720.

3) Stability of 2D alkaline-earth metal silicides, germanides and stannides / A. Yu. Alekseev, A. G. Chernykh, A. B. Filonov, D. B. Migas, N. V. Skorodumova // International Journal of Nanoscience - 2019. - Vol. 18, № 3-4. - P. 1940013.

4) Marked enhancement of the photoresponsivity and minority-carrier lifetime of BaSi2 passivated with atomic hydrogen / Z. Xu, D. A. Shohonov, A. B. Filonov, K. Gotoh, T. Deng, S. Honda, K. Toko, N. Usami, D. B. Migas, V. E. Borisenko, and T. Suemasu // Phys. Rev. Mater. - 2019. - Vol. 3, № 6. - P. 065403.

5) Effects of lattice parameter manipulations on electronic and optical properties of BaSi2 / D.A. Shohonov, D.B. Migas, A.B. Filonov, V.E. Borisenko, R. Takabe, T. Suemasu // Thin Solid Films. . - 2019. - Vol. 686, № 9. - P. 137436.

6) Possible 2D-like silicides: structure and electronic properties / A. Yu. Alekseev, A. B. Filonov, D. B. Migas, V.E. Borisenko, N. V. Skorodumova // The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials (APAC-Silicide 2019, Miyzaki, Japan) - 2019. P. 45-46.

7) Structural stability and electronic properties of 2D alkaline-earth metal silicides, germanides, and stannides / A. Y. Alekseev, D. B. Migas, A. B. Filonov, V. E. Borisenko, N. V. Skorodumova // Jpn. J. Appl. Phys. - 2020. - Vol. 59, № 2. - P. SF0801.

8) Effect of polaron formation on electronic, charge and magnetic properties of Nb12O29 / D.B. Migas, A.B. Filonov, V.E. Borisenko, N.V. Skorodumova // J. Alloys Compd. - 2020. - Vol. 821, № 9. - P. 153527.

9) Hydrogen states in hydrogen-passivated semiconducting barium disilicide measured via muon spin rotation / Z. Xu, T. Sato, J. Nakamura, A. Koda, K. Shimomura, A. B. Filonov, D. B. Migas and T. Suemasu // Jpn. J. Appl. Phys. - 2020. - Vol. 59, № 2. - P. 071004.
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42233

10) Atomic hydrogen passivation for photoresponsivity enhancement of boron-doped p-BaSi2 films and performance improvement of boron-doped p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells / Z. Xu, T. Sato, L. Benincasa, Y. Yamashita, T. Deng, K. Gotoh, K. Toko, N. Usami, A. B. Filonov, D. B. Migas, D. A. Shohonov, and T. Suemasu // J. Appl. Phys. - 2020. - Vol. 127, № 23. - P. 233104.

11) Алексеев, А.Ю. Фазовый переход в нанотрубках силицида магния / А.Ю. Алексеев, А.Г. Черных, А.Б. Филонов, Д.Б. Мигас // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IX Междунар. науч. конф., Минск, 14-16 окт. 2020 г. / МО Респ. Бел.; БГУ; БРФФИ; редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: БГУ, 2020 С. 260 - 264.

12) Холяво, И.И. Исследование влияния границы раздела на теплопроводность <011>-ориентированных наношнуров Si/Ge со структурами типа ядро-оболочка и сегментного типа / И. И.Холяво, А. Л.Хомец., И.В.Сафронов, Д.Б. Мигас // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IX Междунар. науч. конф., Минск, 14-16 окт. 2020 г. / МО Респ. Бел.; БГУ; БРФФИ; редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: БГУ, 2020 С. 428 - 432.

13) Хомец, А.Л. Влияние ориентации поверхности на теплопроводность тонких пленок Si/Ge / А. Л.Хомец, И. И.Холяво, И.В.Сафронов, Д.Б. Мигас // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IX Междунар. науч. конф., Минск, 14-16 окт. 2020 г. / МО Респ. Бел.; БГУ; БРФФИ; редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: БГУ, 2020 С. 433 - 437.

14) Curvature-induced effects in semiconducting alkaline-earth metal silicide nanotubes / A. Yu. Alekseev, D.B. Migas, A.B. Filonov, A.G. Chernykh, V.E. Borisenko, N.V. Skorodumova // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - 2021. - Vol. 128, № 4. - P. 114582.

15) Межсоединения элементов интегральных микросхем: учеб.-метод. пособие / Д.Б. Мигас, А.Г. Черных. - Минск : БГУИР, 2020. - 70 с. ил.

Выступление с докладами на международных конференциях и симпозиумах: 34
Выступление с приглашенными докладами на международных конференциях и симпозиумах: 15

Заслуги, награды, поощрения
Стипендия Кабинета Министров Республики Беларусь талантливым молодым ученым в 1997 году;
Стипендия Президента Республики Беларусь талантливым молодым ученым в 2013 году.