|
Год создания научной школы: 1974 год.
Основные направления научных исследований, проводимых в рамках научной школы:
- теория и создание интегральных методов плазменной и ионно-лучевой обработки поверхности, получения качественно новых свойств пленочных элементов кристаллов СБИС, мощных лазерных устройств отображения информации, изделий оптического назначения, изделий СВЧ, плазмо-химической и ионно-лучевой обработки для серийного производства изделий микроэлектроники, радиотехники, лазерных систем, высокоточных измерительных приборов.
- разработаны физико-технологические основы формирования пленок благородных металлов и их заменителей в условиях нестационарного электролиза и реакционной конденсации.
Количественный и качественный состав научной школы: 43 ученых. Из них: 7 докторов и 33 кандидата наук. 3 аспиранта.
Основные научные результаты:
Разработаны физико-технологические основы формирования пленок благородных металлов и их заменителей в условиях нестационарного электролиза и реакционной конденсации.
На РУП «Завод Транзистор» внедрена технология формирования отражающих покрытий, обеспечивающих работу установок наращивания эпитаксиальных слоев «Эпиквар-101» и «Эпиквар-121». Эти установки используются в технологических процессах изготовления всей номенклатуры биполярных интегральных схем и более 100 типономиналов дискретных полупроводниковых приборов, в том числе биполярных транзисторов, БИМОП- транзисторов, диодов и других изделий данного предприятия;
На РАУП «Гомельское ПО Кристалл» с использованием разработанных магнетронных систем внедрена технология вакуумно-плазменного металлизации алмазного порошка;
Рряд полученных новых результатов внедрен в учебный процесс по специальностям «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии» в БГУИР.
Научные связи с отечественными научными организациями и международным научным сообществом:
- Азербайджан, Баку (переговоры о сотрудничестве).
- Россия, Таганрогский государственный радиотехнический университет.
- Россия, Московский институт стали и сплавов.
- Россия, Санкт-Петербургский академический университет- научно-образовательный центр микро- и нанотехнологий.
Общественное признание научной школы:
научные премии (государственные, международные, академий и университетов), полученные членами научной школы:
1981г. - премия Президиума АН СССР за лучшую работу по фундаментальным проблемам микроэлектроники за 1979-1980гг.
1982г. - Достанко А.П. присвоено почетное звание Заслуженного деятеля науки и техники Белорусской ССР.
1985г. - Министерство высшего и среднего специального образования СССР, Центральный комитет профсоюза работников просвещения высшей школы и научных учреждений постановлением от 08.01.1985г. N12/39 присудили III премию за лучшую научную работу «Плазменная металлизация в вакууме».
1987г. - Указом Президиума Верховного Совета СССР от 27 июля 1987г. Достанко А.П. присвоено почетное звание «Заслуженный изобретатель СССР».
1996г. - лауреат Государственной премии Республики Беларусь за цикл учебников и учебных пособий для высших и средних специальных учебных заведений по технологии производства ЭВМ, физико-химическим, технологическим дисциплинам радио- и электронно-вычислительного профиля.
1997г. - Достанко А.П. избран почетным профессором Сианьского Университета (КНР).
2003г. - Решением Сианьского Технологического Института академику Достанко А.П. присвоено звание «Почетный профессор» за вклад в развитие научных исследований и педагогической деятельности.
2004г. - решением Ученого совета Таганрогского государственного радиотехнического университета от 30 марта 2004г. присвоено Достанко А.П. звание почетного профессора ТРТУ за исключительные заслуги в области подготовки инженерных и научных кадров.
2006г. - премия Национальной академии наук Беларуси 2005 за цикл работ «Плазменныя працэсы у вытворчасцi вырабау электронiкi» (лауреат премии НАН Беларуси, Пост. Президиума НАН Беларуси N 8 от 19.01.2006).
2007г. - Достанко А.П. награжден нагрудным знаком Министерства образования «Отличник образования».
2010г. - Достанко А.П. стал лауреатом премии НАН Украины, НАН Беларуси, АН Молдовы за цикл научных работ «Техника и технология формирования микро- и наноструктурированных слоев изделий микроэлектроники высоко- и низкоэнергетическими потоками ионов».
медали и дипломы за научные достижения, полученные членами научной школы:
Диплом Президиума Центрального правления НТО РЭС им. А.С. Попова (Диплом N 35 от 25.12.74);
Диплом НТО РЭС от 23.12.77;
Диплом БРП НТО РЭС от 30.03.82;
Работа по высокотемпературным процессам микроэлектроники награждена золотой медалью ВДНХ СССР. 1983г.
почетные научные звания, полученные членами научной школы:
Баранов В.В. - лауреат Государственной премии БССР, 1982г.
Пикуль М.И. - лауреат Государственной премии БССР, 1982г.
Домаренок М.И. - лауреат Государственной премии БССР, 1982г.
Тхостов М.М. - лауреат Государственной премии БССР, 1982г.
Ширипов В.Я - лауреат Государственной премии БССР, 1982г.
Василевич В.П. - лауреат Государственной премии БССР, 1982г.
Краснецкий В.Я. - лауреат Государственной премии БССР, 1982г.
Бордусов С.В. - лауреат прими ЦК ЛКСММ в области науки и техники, 1990г.
Хмыль А.А. - лауреат Государственной премии Республики Беларусь, 1996г.
Пикуль М.И. - лауреат Государственной премии Республики Беларусь, 1996г.
Кундас С.П. - лауреат Государственной премии Республики Беларусь, 1997г.
|
