Белорусский Государственный Университет  Информатики и Радиоэлектроники
БГУИР
BSUIR

3 учебная неделя

Кафедра проектирования информационно-компьютерных систем.

Научная работа

Научная работа

::ОСНОВНЫЕ НАУЧНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ
На кафедре проектирования выполняются следующие исследования:
Госбюджетная НИР ГБ №21-2021 «Методология построения, моделирования и комплексной оценки качества информационных и технических систем»
Научный руководитель - АЛЕКСЕЕВ Виктор Федорович - канд.техн.наук, доцент
Ответственный исполнитель - ПИСКУН Геннадий Адамович - канд.техн.наук, доцент

Договор № 23-1051 на выполнение научно-исследовательской работы на тему «Разработка и исследование методов и технических средств эффективного теплоотвода для ПЭВМ, работающих в жестких условиях эксплуатации» (выполняется для ОАО «Научно-исследовательский институт электронных вычислительных машин»)
Научный руководитель - АЛЕКСЕЕВ Виктор Федорович - канд.техн.наук, доцент
Ответственный исполнитель - ПИСКУН Геннадий Адамович - канд.техн.наук, доцент

В рамках научно-технического сопровождения деятельности Министерства архитектуры и строительства в 2023 году было продолжено выполнение НИР «Эффективность работы автоматической установки пожаротушения совместно с системами противодымной вентиляции в помещении хранения автомобилей гараж-стоянки» (научный руководитель - ЛИШАЙ Игорь Леонидович - директор Научно-проектно-производственного республиканского унитарного предприятия «Стройтехнорм», ответственный исполнитель - ХОРОШКО Виталий Викторович - заведующий кафедрой ПИКС, канд.техн.наук, доцент).

Эффективность работы автоматической установки пожаротушения

Для подземной гараж-стоянки жилого здания на объекте «Многоквартирный жилой дом №2 по г/п со встроенными помещениями административно-общественного назначения в жилом районе Лебяжий» были выполнены следующие исследования:
- анализ эффективности системы вентиляции двойного назначения (разбавления, удаления (выброса) вредных газовыделений в рабочей зоне в соответствии с ГОСТ 12.1.005-88;
- анализ эффективности удаления продуктов горения при пожаре в соответствии с ТКП 45-4.02-273-2012) и температурных режимов на строительных конструкциях (перекрытии), продуктов горения на входе в дымоприемное устройство, на воздуховодах системы вытяжной противодымной вентиляции в зоне горения автомобилей.
Презентация

Профессорско-преподавательским составом, аспирантами и магистрантами выполняются научно-исследовательские работы по следующим основным тематикам:
«Методы моделирования и оптимизации параметров электронных систем, устойчивых к воздействию дестабилизирующих факторов» (Алексеев В.Ф. - канд.техн.наук, доцент; Боровиков С.М. - канд.техн.наук, доцент; Ефименко С.А. - канд.техн.наук, доцент; Петлицкая Т.В. - канд.техн.наук, доцент; Пискун Г.А. - канд.техн.наук, доцент; Шаталова В.В. - канд.техн.наук, доцент);
«Методы, алгоритмы и технические средства защиты информации и обеспечения безопасности объектов» (Алефиренко В.М. - канд.техн.наук, доцент; Галузо В.Е. - канд.техн.наук, доцент; Бересневич А.И. - магистр технических наук, старший преподаватель; Логин В.М. - магистр технических наук, старший преподаватель);
«Исследование структурных, электрических и оптических свойств тонкопленочных материалов для использования их в солнечных элементах» (Гременок В.Ф. - д-р физ.-мат.наук, профессор; Хорошко В.В. - заведующий кафедрой, канд.техн.наук, доцент);
«Разработка на основе силицидов и оксидов переходных металлов наноструктурных материалов и технологий формирования на пластинах кремния тонкопленочных покрытий» (Баранов В.В. - д-р техн.наук, профессор);
«Создание и освоение в производстве комплекса конкурентоспособного лазерного прецизионного оборудования для изготовления высокоточных оригиналов топологий изделий электронной техники» (Матюшков В.Е. - д-р техн.наук, профессор)

::НАУЧНЫЕ ШКОЛЫ

Боднарь

Научная школа «СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ И ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ: ПОЛУЧЕНИЕ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ»
Научный руководитель: БОДНАРЬ Иван Васильевич - доктор химических наук, профессор
Год создания научной школы: 1982 год.
Основные направления научных исследований, проводимых в рамках научной школы:
- разработка оптимальных режимов выращивания монокристаллов методами Бриджмена, Бриджмена-Стокбаргенра, химических газотранспортных реакции и направленной кристаллизацией расплава- раствора;
- исследование физико-химических, оптических, электрических и теплофизических свойств;
- создание поверхностно - барьерных структур.
Научные связи с отечественными научными организациями и международным научным сообществом:
- НПЦ НАН Беларуси по материаловедению;
- Институт физики НАН Беларуси;
- Белорусский государственный университет;
- Белорусский государственный технологический университет;
- Мадридский Автономный университет, Мадрид Испания (Universidad Autonoma de Madrid, Spain);
- Научно-исследовательский Институт Энергии. Барселона, Испания (Fundacio Privada Institut de Recerca de L`Energia de Catalunya);
- Свободный Берлинский Университет, Берлин, Германия (Freie Universitaet, Berlin);
- Физико- технический Институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия;
- Институт Прикладной физики АН Молдовы, Кишинев;
- Институт Физики Полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины;
- Ужгородский Национальный Университет, Ужгород, Украина.
Общественное признание научной школы:
БОДНАРЬ Иван Васильевич - Почетный доктор Ужгородского Национального Университета (Украина)

::УЧАСТИЕ В ПРОГРАММАХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
Программа 1.06 «Физическое материаловедение, новые материалы и технологии», задание «Формирование и физические характеристики тонких пленок сульфида индия (In2S3) и сульфида кадмия (CdS) для оптоэлектронных устройств»
Исполнители: Гременок В.Ф. - д-р техн.наук, профессор; Хорошко В.В. - заведующий кафедрой, канд.техн.наук, доцент
ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника»
Исполнители: Баранов В.В. - д-р техн.наук, профессор; Ефименко С.А. - канд.техн.наук, доцент; Петлицкая Т.В. - канд.техн.наук, доцент
Программа СНГ «Разработка космических и наземных средств обеспечения потребителей России и Беларуси информацией дистанционного зондирования Земли» («Мониторинг-СГ»)
Исполнитель: Колбун В.С. - доцент

::НИС 5.4 «МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ»

НИС
НИС
НИС

НАПРАВЛЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ
— выращивание объемных монокристаллов соединений типа АIBIIICVI2 (где АI - Сu, Ag; BIII - Al, Ga, In; CVI2 - S, Se, Te): AIIBIIICVI4 (AII - Mn, Fe; BIII - Ga, In; CVI4 - S, Se, Te); АI2BIICIVDVI4I - Cu, Ag; BII - Zn; CIV - Ge, Sn; DVI - S, Se) из расплава (методы Бриджмена и Бриджмена-Стокбаргера) и из газовой фазы (метод химических газотранспортных реакций);
— исследование оптических, электрических, теплофизических и магнитных свойств объемных монокристаллов соединений.
ПРОЕКТЫ ЗА 2020 - 2022 ГОДЫ
Научно-технические проекты выполняются в рамках международных и национальных программ, в том числе совместно с партнерами.
1. Выращивание монокристаллов соединений In2S3, AgIn5S8 и твердых растворов (In2S3)1-x(AgIn5S8)x: исследование структурных, оптических и электрических свойств
2. Прогнозирование эксплуатационной надежности мощных полупроводниковых приборов с использованием методов и алгоритмов машинного обучения.
3. Статистические модели надёжности прикладных программных средств и их использование для оценки ожидаемой безотказности компьютерных программ на ранних этапах разработки.
4. Синтез, структурные и физические свойства полупроводниковых материалов AgIn5S8-In2S3.
5. Структурные и теплофизические свойства полупроводниковых твердых растворов (FeIn2S4)1-x(In2S3)x для перспективных элементов микроэлектроники.
6. Формирование и физические характеристики тонких пленок сульфида индия (In2S3) и сульфида кадмия (CdS) для оптоэлектронных устройств.
7. Разработка оптимальных температурных режимов выращивания монокристаллов соединений Cu2ZnGeS4, Сu2ZnGeSe4 и твердых растворов Cu2ZnGe(SxSe1-x)4, определение их состава и кристаллической структуры.
ИНФОРМАЦИЯ О РУКОВОДИТЕЛЕ
ФЕЩЕНКО Артем Александрович - руководитель сектора - кандидат технических наук, доцент

::СОТРУДНИЧЕСТВО С ДРУГИМИ ОРГАНИЗАЦИЯМИ
При проведении научных исследований преподаватели кафедры сотрудничают с учеными и специалистами Национальной академии наук Беларуси, других вузов Беларуси, Российской Федерации, а также с коллегами из других стран.

     

::УЧАСТИЕ В КОНФЕРЕНЦИЯХ
Основные результаты научных исследований ежегодно обсуждаются на международных и республиканских конференциях.
Ежегодно преподаватели, аспиранты, магистранты и студенты принимают участие более чем в 20 конференциях.

::ПОДГОТОВКА НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ
Высококвалифицированные специалисты кафедры ведут подготовку научно-педагогических кадров через аспирантуру по специальностям:
- 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах;
- 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.
Научное руководство аспирантами осуществляют:
АЛЕКСЕЕВ Виктор Федорович - канд.техн.наук, доцент;
БАРАНОВ Валентин Владимирович - д-р техн наук, профессор, Лауреат Государственной премии Беларуси в области науки и техники (1982 год);
БОРОВИКОВ Сергей Максимович - канд.техн.наук, доцент;
ГРЕМЕНОК Валерий Феликсович - д-р физ.-мат. наук, профессор;
МАТЮШКОВ Владимир Егорович - д-р техн. наук, профессор, член Академии инженерных наук Российской Федерации, Лауреат государственной премии СССР (1986), Лауреат государственной премии Республики Беларусь (2000);
ХОРОШКО Виталий Викторович - заведующий кафедрой ПИКС, канд.техн.наук, доцент.

:: ПАТЕНТЫ ЗА 2013-2023 ГОДЫ
1. Способ изготовления интегральных микросхем по МОП-технологии: пат. 21442 Респ. Беларусь, МПК H 01L 21/335 / А.С. Турцевич; В.А. Солодуха; В.В. Глухманчук; Л.Г. Сятковски; С.А. Ефименко; заявитель ОАО «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ». - N a 20140197; заявл. 26.03.2014; опубл. 30.10.2017 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi. - 2017. - N5. - С. 135.
Скачать
2. Способ испытаний интегральных микросхем на коррозионную стойкость: пат. 20116 Респ. Беларусь, МПК G 01R 31/28 / А.С. Турцевич; В.А. Солодуха; Е.П. Самцов; А.С. Горегляд; С.А. Ефименко; заявитель ОАО «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ». - N a 20130642; заявл. 18.05.2013; опубл. 30.06.2016 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi. - 2016. - N3. - С. 102.
3. Способ разбраковки микроконтроллеров со встроенной флеш-памятью после воздействия разряда статического электричества: пат. 21277 Респ. Беларусь, МПК G 01R 31/26, G 11C 29/52 / Г.А. Пискун, В.Ф. Алексеев; заявитель Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - N а 20140093; заявл. 25.02.2014; опубл. 30.10.2015 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi. - 2015. - N 5. - С. 18.
Скачать
4. Способ разбраковки микроконтроллеров со встроенной флешпамятью после воздействия разряда статического электричества: пат. 21277 Респ. Беларусь, МПК G 01R 31/26 / Г.А. Пискун, В.Ф. Алексеев; заявитель Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - N а 20140093; заявл. 05.02.2014; опубл. 30.09.2015 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi. - 2015. - N 5. - С. 18.
Скачать
5. Способ изготовления кремниевой интегральных микросхемы : пат. 18136 Респ. Беларусь, МПК H 01L 21/77, H 01L 21/04 / А.С. Турцевич; В.А. Солодуха; В.Е. Шикуло, С.А. Ефименко, О.Ю. Наливайко, И.В. Малый; заявитель ОАО «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ». - N a 20111797; заявл. 22.12.2012; опубл. 30.04.2014 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi. - 2014. - N5. - С. 108-109.
Скачать
6. Способ испытания микроконтроллеров на устойчивость к воздействию электростатических разрядов: пат. 17253 Респ. Беларусь, МПК G 01R 31/26, G 11C 29/52 / Г.А. Пискун, В.Ф. Алексеев, О.А. Брылева; заявитель Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - N а 20120290; заявл. 28.02.2012; опубл. 30.06.2013 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi. - 2013. - N 3. - С. 142-143.
Скачать
7. Способ получения тонких пленок SnS: пат. 17820 Респ. Беларусь, МПК H01L 31/18, C23C 14/24, C30B 29/46 / С.А. Башкиров, В.Ф. Гременок; заявитель Государственное научно-производственное объединение «Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению». - N а 20120124; заявл. 27.01.2012; опубл. 30.08.2013 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi. - 2013. - N 5. - С. 152.
Скачать
8. Тонкопленочный полупроводниковый фотодетектор: пат. 16917 Респ. Беларусь, МПК H01L 31/18 / В.Ф. Гременок, С.А. Башкиров; заявитель Государственное научно-производственное объединение «Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению». - N а 20120124; заявл. 28.04.2011; опубл. 28.02.2013 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi. - 2013. - N 1. - С. 131-132
Скачать
9. Предупредительно-оповестительная информационная система для автотранспортных средств : пат. 9435 U Респ. Беларусь, МПК B 60Q 9/00, G 08G 1/09 / Павлович А.Э., Старжинский В.П., заявители: Павлович А.Э., Старжинский В.П., № u 20120985; заявл. 09.11.2012; опубл. 30.08 2013 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi. - 2013. - N 4. - С. 215-216.
Скачать
10. Предупредительно-оповестительная информационная система для автотранспортных средств : пат. 10892 U Респ. Беларусь, МПК B 60Q 9/00, G 08G 1/09 / Старжинский В.П., Павлович А.Э., Гмырак В.Н., заявители: Старжинский В.П., Павлович А.Э., Гмырак В.Н., № u 20150088; заявл. 13.03.2015; опубл. 30.12 2015 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi. - 2015. - N 6. - С. 100-101.
Скачать
11. Борцовский тренажёр: пат. 12112 U Респ. Беларусь, МПК А 63В 69/00, / Закерничный В.И., Павлович А.Э., заявители: Закерничный В.И., Павлович А.Э., № u 20190047; заявл. 21.02.2019; опубл. 30.10 2019 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi. - 2019. - N 5. - С. 84.
Скачать
12. Способ тестирования сформированных на пластине кристаллов интегральной микросхемы: пат. 19597 C2 Респ. Беларусь, МПК G 01R 31/26 / Ефименко С.А., Турцевич А.С., Солодуха В.А., Матусевич И.И., Лабкович А.К., №а 20121751; заявл. 14.12.2012; опубл. 30.11.2015 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi. - 2015. - N 5. - С. 82-83.
Скачать
13. Способ проведения испытаний на термополевую стабильность интегральных микросхем: Евразийский патент 027679, МПК H01L 21/66, G01R 31/303 / Васьков В.Б, Кондратенко Д.С., Осипов В.Е., Турцевич А.С., Солодуха В.А., Ефименко С.А., № 201500102; завл. 23.12.2014; опубл. 31.08.2017 // Бюллетень евразийского патентного ведомства.- 2017.- №8.- с.634-635.
Скачать
14. Интегральная микросхема: пат 21568 C2 Респ. Беларусь, МПК H 01L 27/04 / Кондратенко Д.С., Турцевич А.С., Солодуха В.А., Дулинец Ю.Ч., Осипов В.Е., Ефименко С.А., № а20140179; заявл. 18.03.2014; опубл. 28.02.2018 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi. - 2018. - N 1. - С. 155-156.
Скачать

:: МОНОГРАФИИ

Методы получения

Боднарь, И. В. Методы получения и исследования физико-химических и магнитных свойств полупроводниковых соединений группы MIIBIII2CVI4 и твердых растворов на их основе / И. В. Боднарь, В. В. Хорошко, А. А. Фещенко. - Минск : Бестпринт, 2023. - 172 с. : ил. - ISBN 978-985-7267-30-9.
В монографии рассмотрены современные методы получения и исследования физико-химических и магнитных свойств полупроводниковых соединений группы MIIBIII2CVI4 и твердых растворов на их основе.
Монокристаллы твердых растворов на основе магнитных полупроводников группы данной группы выращены методом направленной кристаллизации. С помощью микрозондового рентгеноспектрального анализа определен состав полученных образцов, рентгенофазовым анализом определена структура.
Методом наименьших квадратов рассчитаны параметры элементарной ячейки. Исследованы спектры пропускания в области края фундаментального поглощения, рассчитаны значения ширины запрещенной зоны, построены их концентрационные и температурные зависимости.
Для определения температур фазовых превращений и построения диаграмм состояния использовали дифференциальный термический анализ. Исследованы фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур, созданных на основе полученных твердых растворов и определены возможности использования данных материалов в приборах электронной техники.
Издание предназначено для научных работников, занимающихся технологиями и оборудованием для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники и аспирантов соответствующих специальностей.

Основы силовой электроники


Основы силовой электроники / А.И. Белоус, В.А. Солодуха, С.А. Ефименко, В.А. Пилипенко. - Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2019. - 424 с. ISBN 978-5-94836-565-7
В книге представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.
Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT. Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников - нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Книга ориентирована на широкий круг читателей - научных и инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов и студентов, изучающих и применяющих элементную базу силовой электроники.
Скачать

The Impact of ESD on Microcontrollers


The Impact of ESD on Microcontrollers / Gennady A.Piskun, Viktor F.Alexeev, Sergey M.Avakov, Vladimir E.Matyushkov, Dmitry S.Titko; Edited by PhD, Aassociate professor Viktor F.Alexeev. - Minsk: Kolorgrad, 2018. - 184 p. - ISBN 978-9857-148-40-0.

В монографии рассмотрены современные методы и средства проверки устойчивости микроконтроллеров к воздействию электростатических разрядов. Выполнен анализ функциональных и эксплуатационных характеристик микроконтроллеров с записанным во встроенную флеш-память программным кодом. Предложена классификация механизмов повреждения микроконтроллеров после воздействия электростатического разряда и возможность разработки новых алгоритмов технической диагностики микроконтроллеров.
На основе анализа тепловых процессов, протекающих в токоведущих элементах интегральных схем, показана зависимость изменения температуры, напряженности электрического поля и мощности электромагнитных потерь в каждом элементе и в областях их контакта в зависимости от напряжения электростатического разряда. Показано влияние ЭСР на изменение запрограммированных данных в микроконтроллерах.
Описан, разработанный авторами, способ функционального контроля микроконтроллеров после воздействия разрядов статического электричества, позволяющий улучшить результат разбраковки потенциально ненадежных изделий за счет получения сведений о возможных нарушениях во встроенной флеш-памяти микросхем.
Монография предназначена для научных работников, инженеров, аспирантов и магистрантов, работающих в области оценки надежности интегральных схем. Может быть использована студентами старших курсов университетов соответствующих специальностей.
Скачать

Боровиков, С.М. Статистическое прогнозирование для отбраковки потенциально ненадежных изделий электронной техники


Боровиков, С.М. Статистическое прогнозирование для отбраковки потенциально ненадежных изделий электронной техники: монография / Боровиков С.М. - Москва: Новое знание, 2013. - 342 с. - ISBN 978-5-94735-161-3
В монографии на основе обобщения и систематизации подходов, используемых для статистического прогнозирования надёжности изделий электронной техники, предложены и исследованы новые методы, позволяющие более эффективно отбраковывать из готовой продукции потенциально ненадёжные экземпляры и (или) выполнять отбор экземпляров повышенного уровня надёжности, а также прогнозировать надёжность выборок (партий) изделий по постепенным отказам.
скачать

Башкиров, С.А. Тонкие пленки SnS для приборов оптоэлектроники


Башкиров, С.А. Тонкие пленки SnS для приборов оптоэлектроники / С.А. Башкиров, В.Ф. Гременок - Saarbrucken : LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH & Co, 2013. − 109 с.
В работе проведен обзор результатов исследования моносульфида олова (SnS) в контексте потенциального использования данного соединения в фотовольтаических устройствах. Представлены результаты исследований микроструктуры и оптических свойств тонких пленок SnS, полученных методом «горячей стенки», а также создание модельных фоточувствительных тонкопленочных структур на основе SnS. Работа будет полезна специалистам в области полупроводникового приборостроения и тонкопленочной электроники, а также студентам и аспирантам соответствующих специальностей.

Прогнозирование надёжности изделий электронной техники


Прогнозирование надёжности изделий электронной техники / С.М. Боровиков, И.Н. Цырельчук, Е.Н. Шнейдеров, А.И. Бересневич; под ред. С.М. Боровикова; УО «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники». − Минск: МГВРК, 2010. − 308 с.: ил. - ISBN 978-985-526-074-6
В монографии рассмотрены вопросы статистического прогнозирования надёжности изделий электронной техники с использованием физического моделирования наработки изделий. Приводятся теоретические разработки и экспериментальные исследования метода пороговой логики и метода имитационных воздействий, предложенных авторами для индивидуального прогнозирования надёжности изделий электронной техники. На примере биполярных транзисторов показано применение физико-статистических моделей деградации параметров для группового прогнозирования параметрической надёжности полупроводниковых приборов.
Для научных и инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов, магистрантов и студентов вузов.

Цырельчук, Н.А. Рефлексивное управление


Цырельчук, Н.А. Рефлексивное управление: монография / Н.А. Цырельчук, И.Н. Цырельчук, Н.Н. Цырельчук. − Мн.: МГВРК, 2008. - 512 с. - ISBN 978-985-6851-57-8
Рассматривается процесс трансформации менеджмента в новой, созвучной современности архетип рефлексивного управления. Проведен научный анализ смыслового пространства категорий «управление» и «менеджмент» в контексте исторического развития науки и общественной практики; современных социокультурных тенденций; разновидностей менеджмента (системного, ситуационного, стратегического, партисипативного, образовательного и др.); феномена рефлексии с выделением контекстов «рефлексия и мышление», «рефлексия и сознание», «рефлексия и деятельность» и др.; рефлексивного потенциала основных сил развития системы среднего специального образования Республики Беларусь − интрапренерских (элитных) групп научно-педагогической общественности.
Для исследователей проблематики управления и психолого-педагогической проблематики, менеджеров-практиков и педагогов-практиков, аспирантов, студентов и всех, кто интересуется современными тенденциями в менеджменте, образовании, педагогической деятельности.


Гременок, В.Ф. Солнечные элементы на основе полупроводниковых материалов / В.Ф. Гременок, М.С. Тиванов, В.Б. Залеcский. - Минск: Изд. Центр БГУ, 2007. - 222 с. - ISBN 985-476-443-5.
В коллективной монографии представлены наиболее важные результаты достижений последних лет по основным проблемам полупроводниковой гелиоэнергетики. В издании изложены не только теоретические аспекты той или иной проблемы, но и описаны технологии получения и конструкции полупроводниковых солнечных элементов и действующих модулей, а также показаны перспективы внедрения фотопреобразователй в практику. Книга будет полезна специалистам, работающим в области полупроводникового приборостроения и тонкоплѐночной электроники, а также студентам и аспирантам соответствующих специальностей.
Скачать


Урбанович, П.П. Избыточность в полупроводниковых интегральных микросхемах памяти / П.П. Урбанович, В.Ф. Алексеев, Е.А. Верниковский. − Мн.: Навука і тэхніка, 1995. − 262 с. - ISBN 5-343-01188-8.
В монографии рассмотрены вопросы разработки и производства избыточных полупроводниковых микросхем памяти (МП). Описаны математические модели распределения статистически независимых и группирующихся дефектных и отказавших элементов на кристаллах МП, построенные на базе обширных статистических данных о характере и причинах возникновения неисправностей. Изложена методика прогнозирующего расчета выхода годных и надежности избыточных МП. Предложены методы построения и схемотехнические решения устройств нейтрализации ошибок, основанные на резервировании корректирующих кодов.
Предназначена для научно-технических работников, специализирующихся в области создания полупроводниковой памяти. Может быть полезна преподавателям, аспирантам и студентам старших курсов вузов соответствующих специальностей.
скачать