|
Google Scholar
Репозиторий
Область профессиональных интересов/исследований:
Технология формирования активных элементов микроэлектромеханических систем на основе оксидов вентильных металлов.
Образование: высшее - Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР)
Трудовая деятельность.
В 2012 году получил квалификацию инженера электронной техники по специальности «Микро- и наноэлетронные технологии и системы» в БГУИР.
В 2013 окончил магистратуру БГУИР.
В 2016 окончил аспирантуру БГУИР.
С 2015 года по настоящее время заместитель декана факультета радиотехники и электроники БГУИР
Читаемые учебные дисциплины:
I ступень:
Микроэлектроника и микросхемотехника
Наноэлектроника
Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем
Микро- и наноэлектромеханические устройства
Микроэлектронные устройства
Публикации:
1) Биран С. А., Короткевич Д. А., Короткевич А. В., Датчик с активным элементом на основе пленки анодного оксида алюминия // 25-я Международная конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», Севастополь, Крым, Россия, 2015.
2) Биран, С. А. Исследование механических свойств элементов МЭМС на основе анодного оксида алюминия / С. А. Биран, Д. А. Короткевич, А. В. Короткевич // Доклады БГУИР. - 2016. - № 7 (101). - С. 380-382
3) Biran, S. A. Mechanical properties of MEMS components based on anodic aluminum oxide / S. Biran, D. Korotkevich, A. Korotkevich // Nano-design, technology, computer simulations : proceedings of 17th International workshop on new approaches to high -tech. - Minsk : BSUIR, 2017. - С. 46 - 49.
4) Биран. С.А. Устойчивость анодного оксида алюминия к ионизирующим излучениям / С. А. Биран и др. // Медэлектроника - 2018. Средства медицинской электроники и новые медицинские технологии : сборник научных статей XI Международная научно-техническая конференция, Минск 2018 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - Минск, 2018. - С. 240-242.
5) Biran S.A, Korotkevich D.A., Garifov K.V., Dashkevich A.D. Influence of radiation exposure on the properties of dielectric layers based on anodic aluminum oxide. Doklady BGUIR. 2021; 19(8): 67-70.
|
