Ловшенко Иван Юрьевич

Google Scholar
Scopus
Publons (Web of Science)
ResearchGate
BSUIR Repository
ORCID
РИНЦ


Читаемые дисциплины
• Основы компьютерного проектирования в микро- и наноэлектронике
• Системы автоматизированного проектирования интегральных микросхем. Часть 2
• Топологическое проектирование интегральных микросхем
• Функциональное и схемотехническое проектирование интегральных микросхем
• Информационные технологии

Область научной и профессиональной деятельности
-Системы автоматизированного проектирования в микроэлектроники.
-Приборно-технологическое моделирование структур силовой электроники, солнечной энергетики, а также ЭКБ специального назначения и двойного применения, в том числе с повышенной радиационной стойкостью.
-Разработка моделей приборных структур, учитывающих деградацию эксплуатационных характеристик при воздействии проникающей радиации.
-Схемотехническое моделирование и топологическое проектирование ИМС.

Основные научные результаты
Закономерности протекания электронных процессов на границе плазма - полупроводник, спиновые механизмы при воздействии слабых магнитных полей на свойства полупроводников, закономерности эволюции двухуровневых спиновых систем в резонансных полях с учетом непрерывных квантовых измерений, закономерности токопереноса и электронно-ядерные спин-зависимые процессы в периодических наноструктурах кремний/диэлектрик, закономерности и механизм колебания туннельного магнитосопротивления в наноструктуре ферромагнетик/диэлектрик/ ферромагнетик, закономерности изменения вихревой магнитной структуры ферромагнитных цилиндрических наночастиц от размера. Особенности магнетизма нанокомпозитов на основе углеродных нанотрубок. Закономерности поглощения электромагнитного излучения нанокомпозитом на основе углеродных нанотрубок. Закономерности колебаний намагниченности в наноструктуре ферромагнетик/немагнитный материал/ферромагнетик при воздействии спин-поляризованного тока, упругих напряжений и лазерного излучения.

Образование, стажировки, повышение квалификации
-Исследователь (2016, Белорусский университет информатики и радиоэлектроники, «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»).
-Магистр технических наук (2013, Белорусский университет информатики и радиоэлектроники, «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»).
-Инженер электронной техники (2012, Белорусский университет информатики и радиоэлектроники, «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»).
-Техник-технолог (2009, Минский государственный высший радиотехнический колледж, «Микроэлектроника»).

Трудовая деятельность
С 2012 года работает в учреждении образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»:
-инженер-электроник НИЛ 4.4 (2012-2013 гг.);
-младший научный сотрудник НИЛ 4.4 (2013-2019 гг.);
-ассистент кафедры микро- и наноэлектроники (2014-2018 гг.);
-старший преподаватель кафедры микро- и наноэлектроники (с 2018 года по настоящее время);
-заведующий научно-исследовательской лабораторией 4.4 «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем» (с 2019 года по настоящее время).

Основные научные публикации
Всего опубликовано 57 работ, в том числе более 20 статей в отечественных и зарубежных научных журналах, подготовлены и успешно представлены доклады на ведущих международных научно-технических конференциях. Наиболее значимые публикации за 2018-2020 годы:
1. Lovshenko, I.Yu. Radiation influence on electrical characteristics of complementary junction field-effect transistors exploited at low temperatures / I.Yu. Lovshenko, V.T. Khanko, V.R. Stempitsky // J. Materials Physics and Mechanics. - St.Petersburg :Institute of Problems of Mechanical Engineering, vol. 39. - № 1. - 2018. - P. 92 - 101.

2. Lovshenko, I. Simulation of the Heavy Charged Particle Impacts on Electrical Characteristics of N-MOSFET Device Structure / I. Lovshenko, Dao Dinh Ha, Tran Tuan Trung, Nguyen Trong Quang, V. Khanko, V. Stempitsky. // The International Conference on Advanced Technologies for Communications - Hanoi, Vietnam, 2019. - P. 189-193.

3. Lovshenko, I. Physic-topological (electrical) model of a junction field effect transistor, taking into account the degradation of operational characteristics under the influence of penetrating radiation / I. Lovshenko, V. Khanko and V. Stempitsky // ITM Web of Conferences 30, 10002 (2019). - P. 8. (https://doi.org/10.1051/itmconf/20193010002)

4.Экстракция параметров компактных моделей элементной базы интегральных микросхем специального назначения / Ловшенко И. Ю., Стемпицкий В. Р., Шандарович В. Т. // Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. - Т. 2. - № 4. -2019. -С. 456-465.

5. Ловшенко, И. Ю. Физико-топологическая модель полевого транзистора, учитывающая деградацию эксплуатационных характеристик при влиянии ионизирующего излучения / Ловшенко И. Ю., Стемпицкий В. Р., Шандарович В. Т. // Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. - Т. 2. - № 4. -2019. -С. 466-475.

6. Ловшенко, И.Ю. Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена / И.Ю. Ловшенко, В.С. Волчёк, В.Т. Шандарович, Дао Динь Ха // Доклады БГУИР. - 2020. - Т. 18, № 3. - С. 72-80.

7. Ловшенко, И.Ю. Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора / И.Ю. Ловшенко, В.Р. Стемпицкий, В.Т. Ханько // 2020. - Т. 18, № 7. - С. 55-62.

Заслуги, награды, поощрения
-Разработана учебная программа дисциплины «Основы компьютерного проектирования в микро- и наноэлектронике» и электронные ресурсы по учебным дисциплинам «Основы компьютерного проектирования в микро- и наноэлектронике», «Функциональное и схемотехническое проектирование интегральных микросхем» и «Топологическое проектирование интегральных микросхем» для специальностей «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» и «Квантовые информационные технологии».
-Один из авторов учебного пособия с грифом МО «Компьютерное проектирование интегральных микросхем. Методы и программные средства приборно-технологического моделирования».
-С 2012 года являлся ответственным исполнителем и исполнителем проектов и заданий ГПНИ, БРФФИ и хозяйственных договоров с организациями Республики Беларусь.
-Грамота БГУИР (2017).