Учебные пособия:
1. Шахлевич Г.М., Телеш Е.В. Практикум по курсу «Производственные технологии» в 2-х ч. Ч.1 «Материаловедение и технология деталей ИРЭ».Минск: БГУИР.- 52 с.<br>
2. В.Л. Ланин, А.П. Достанко, Е.В. Телеш "Формирование токопроводящих контактных соединений в изделиях электроники", Минск, Издательский центр БГУ, 2007-с.74.

Монография

1. Электрофизические процессы и оборудование в технологии микро- и наноэлекторники: монография / А.П. Достанко [и др.]; под общей ред. А.П. Достанко, А.М. Русецкого.- Минск: Беспринт.– 2011.– 210 с. .:илл.

2. Интегрированные технологии микро- и наноструктурированных слоев: монография /А.П.Достанко [и др.] ; под ред. акад. НАН Беларуси А.П.Достанко, д.т.н., профессора В.Л.Ланина.–Минск: Бестпринт, 2013.–189 с.:илл.

Статьи

1. Паращук, В.В. Повышение эффективности мощных лазерных диодов при использовании алмазных теплоотводов / В.В.Паращук, Г.И.Рябцев, А.К. Беляева, Т.В. Безъязычная, В.В. Баранов, Е.В.Телеш Е.В.,  Миен Ву Дон, Лук Ву Ван, Труонг Фам Вам  // Квантовая электроника. –2010.– т.40.– №4. – С.301–304

2. Петров, А.В. Формирование структур PbZr0,54Ti0,46O3 в треках быстрых тяжелых ионов/А.В. Петров, Л.И. Гурский, Н.А. Каланда, Е.В.Телеш, К.А. Минин // Доклады БГУИР.–2010.– № 3 (49). С. 62–67.

3. Гурский, Л.И. Влияние условий синтеза на электротранспортные свойства сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца/ Л.И. Гурский, Н.А. Каланда, С.Е. Демьянов, Д.А. Голосов, С.М. Завадский, А.В. Петров, Е.В. Телеш, Л.В. Ковалев// Доклады БГУИР.– 2011.– № 3 (57). –С. 44–49.

4. Телеш, Е.В. Формирование покрытий ионно-лучевым распылением диэлектрических мишеней /Е.В.Телеш, Н.К.Касинский, В.С.Томаль// Вестник ПГУ.Серия физическая. – 2012.–№4.– С.121–127

5. Телеш, Е.В. Ионно–лучевой синтез контактов металл– GaAs с повышенной воспроизводимостью/ Е.В.Телеш // Электроника–инфо.–2012.–№3(93).–С.30–32. 

6. Телеш Е.В.. Формирование оптических покрытий прямым осаждением из ионных пучков./Е.В.Телеш, Н.К.Касинский//.  Контенант, 2014.– т.13.– №2.–С.27–30.

7.Телеш, Е.В. Применение вторичного разряда в ускорителе с анодным слоем для формирования оптических покрытий из диоксида кремния. / Е.В.Телеш, А.П.Достанко. Контенант, 2014.– т.13.– №2.– С.31–33.

8. Телеш, Е.В. Оптические характеристики тонких пленок диоксида кремния, полученных прямым осаждением из ионных пучков / Е.В. Телеш, А.П. Достанко, А.Ю. Вашуров //Доклады БГУИР.–2015.–№ 8(94).–С.81–85.

9. Телеш, Е.В. Формирование термостойких контактов для приборов с барьером Шоттки на арсениде галлия / Е.В.Телеш // Электроника–инфо.–2015.–№5(119).–С.57–59. 
10. Телеш, Е.В. Пассивация полевых транзисторов с барьером Шоттки на арсениде галлия с применением ионно-лучевого распыления диэлектрических мишеней / Е.В.Телеш // Электроника–инфо.–2015.–№7(121).–С.59–62. 

11. Levcenko, S. Preparation and optical characterization of Cu2ZnGeSe4 thin films/ S. Levcenko, R.Caballero, L.Demeji, E.V,Telesh, I.A.Victorov, J.M.Merino, E.Arushanov, M.Leon,I.V.Bodnar// Optical Materials. –2014. –V.40. – PP.76–81.

12. Гулай, А.В. Получение сенсорных МДП-наносистем при распылении керамических мишеней из нитрида алюминия / А. В. Гулай, А. А. Шевченок, В. С. Урбанович, В. А. Гулай, Чумаков А.Н., Чекан П.В., Телеш Е. В., Лученок А.Р// Порошковая металлургия. –2014.–Вып. 37.–С.85–88.

13. Bodnar, I.V. Transmittance Spectra of the Cu2ZnSnS4 thin films/ I.V.Bodnar, E.V.Telesh, G.Gurieva, S.Schorr // Journal of Electronic Materials.–2015. –V.44.–No 10.–PP.3283–3287.

Материалы конференций

1. Yaroshchuk, O. Vacuum particle beam methods for alignment of reactive mesogens/ O.Yaroshchuk, R.Kravchuk , E.Telesh, A.Khakhlou, O.Parry // Proceed. ID΄ 10. Dec.1–3.– 2010. Fukuoka, Japan

2. Телеш, Е.В. Формирование антиотражающих покрытий для солнечных элементов» / Е.В.Телеш, А.Ю.Вашуров//Материалы 3-й Международной научно-технической конференции «Приборостроение-2010», г.Минск, 10–12 ноября 2010 г. С.263–264. 

3. Телеш Е.В. Формирование пленок кремния из ионных пучков с использованием торцевого холловского ускорителя /Е.В. Телеш, А.П. Достанко А.П., О.В. Гуревич //  Современные методы и технологии создания и обработки материалов: V Междунар. научн.-техн. конф. (Минск, 15–17 сентября 2010г.) сб. материалов. В 3 кн. Кн1. Конструкционные и функциональные материалы в современной технике, методы их получения. Материалы для микро- и наноэлектроники – Минск: ФТИ НАН Беларуси.– 2010.–С.122

4. Гурский, Л.И. Формирование нанокластеров Pb (Zr, Ti) O3 в нанопорах диоксида кремния и диэлектрические свойства интерколлированных структур / Л.И. Гурский, Н.А. Каланда, К.А. Минин, А.В. Петров, Е.В.Телеш // Современные методы и технологии создания и обработки материалов: V Междунар. научн.-техн. конф. (Минск, 15–17 сентября 2010г.) сб. материалов. В 3 кн. Кн1. Конструкционные и функциональные материалы в современной технике, методы их получения. Материалы для микро- и наноэлектроники – Минск: ФТИ НАН Беларуси– 2010.–С. 66–71.

5. Вашуров, А.Ю. Формирование пленок нитрида кремния осаждением из высокоэнергетичных ионных пучков/ А.Ю.Вашуров, Е.В. Телеш// /Материалы 7-й Международной молодежной научно-технической конференции «Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций РТ-2011». 11–15 апреля 2011 г. г.Севастополь, –С.401

6. Гуревич, О.В. Формирование диэлектрических покрытий  прямым осаждением О.В.Гуревич, Е.В.Телеш//Материалы 7-й Международной молодежной научно-технической конференции «Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций РТ-2011»,11–15 апреля 2011 г. г.Севастополь,– С .411

7. Гуревич, О.В. Формирование и исследование тонких пленок фторопласта/ О.В.Гуревич, Е.В.Телеш // Труды Международной научно-технической конференции «Полимерные композиты и трибология» (Поликомтриб-2011). 27–30 июня 2011 г., г.Гомель. –С.87.

8. Телеш, Е.В. Исследование процессов формирования контактных слоев токопроводящих систем на арсениде галлия / ЕВ.Телеш, А.П.Достанко // Приборостроение-11: материалы Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 нояб. 2011 г.  БНТУ; ред.кол.: О.К.Гусев [и др.]. – Минск, 2011. – С. 416–418.

9. Телеш, Е.В. Влияние технологических факторов на микроструктуру тонких пленок диборида титана / Е.В.Телеш// Современные средства связи: материалы  XVI Междунар.научно-технич. конф., Минск, 27-29 сентября 2011 г. УО ВГКС; ред.кол.: А.О.Зеневич [и др.] – Минск, 2011.– С.62.

10. Телеш Е.В. Исследование контактов с барьером Шоттки MoSi2-GaAs / Е.В.Телеш// Современные средства связи: материалы  XVI Междунар.научно-технич. конф., Минск, 27-29 сентября 2011 г. УО ВГКС; ред.кол.: А.О.Зеневич [и др.] – Минск, 2011.– С.63.

11.Телеш, Е.В. Формирование функциональных покрытий на гибких полимерных подложках/ Е.В.Телеш, А.П.Достанко // Приборостроение-11: материалы Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 нояб. 2011 г.  БНТУ; ред.кол.: О.К.Гусев [и др.]. – Минск, 2011. – С. 418–420.

12. Телеш, Е.В. Исследование процессов формирования контактных слоев токопроводящих систем на арсениде галлия /ЕВ.Телеш, А.П.Достанко // Приборостроение-11: материалы Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 нояб. 2011 г.  БНТУ; ред.кол.: О.К.Гусев [и др.]. – Минск, 2011. – С. 416–418.

13. Кalanda, N.А., Magnetic and magnetoresistive properties of Sr2FeMoO6–δ nanosized films/ N.A. Кalanda, S.E. Demyanov, L.V. Kovalev, L.I. Gurskii, E.V. Telesh, D.A. Kotov, V.M. Garamus, R. Willumeit. Сборник материалов международной конференции «Nanomeeting – 2011» (Physics, Chemistry and Application of Nanostructures) 24–27 мая 2011 г., г.Минск, Беларусь. –С. 230 – 233.

14. Вашуров, А.Ю. Исследование и моделирование процессов синтеза тонкопленочных покрытий прямым осаждением из ионных пучков /А.Ю.Вашуров, Е.В.Телеш//Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций РТ-2012:Матер. 8-й межд. молод. науч.-техн.. конф. Сев.нац.техн.ун-т., научн. ред. Ю.Б.Гимпилевич.-Севастополь:СевНТУ.– 2012.– С.428  

15. Вашуров, А.Ю. Применение ТХУ для модификации поверхности гибких полимерных подложек /А.Ю.Вашуров, Е.В.Телеш//Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций РТ-2012: Матер. 8-й межд. молод. науч.-техн.. конф. Сев.нац.техн.ун-т., научн. ред. Ю.Б.Гимпилевич.-Севастополь:СевНТУ.– 2012. –С.430  

16. Черняк, О.С. Формирование оксидов цинка и алюминия для тонкопленочных солнечных элементов /О.С.Черняк, Е.В.Телеш//Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций РТ-2012: Матер. 8-й межд. молод. науч.-техн.. конф. Сев.нац.техн.ун-т., научн. ред. Ю.Б.Гимпилевич.-Севастополь:СевНТУ.– 2012. –С.426  

17. Ковалева, А.П. Модификация поверхности  полимеров ионами химически активных газов /А.П.Ковалева, Е.В.Телеш // V молодежная конференция ИОХ РАН: Сб. тез. докл. Инст.орг.химии им. Н.Д.Зелинского РАН; редкол: В.П.Анаников [и др.]  – Москва: ИОХ РАН.– 2012. –С.99–100

18. Телеш, Е.В. Применение вторичного разряда в ускорителях с анодным слоем для формирования оптических покрытий из диоксида кремния /Е.В.Телеш, А.П.Достанко // Технология обработки оптических элементов и нанесения вакуумных покрытий: тезисы докладов научно-практич. конф., г.Минск, 26–27 сентября 2013 г., ОАО «ММЗ им. В.И.Вавилова»; отв. за выпуск Б.Н.Сеник [и др.].–Минск, 2013.– С.19–20.   

19. Телеш, Е.В. Ионно-лучевое формирование адгезионных и барьерных слоев на гибких полимерных подложках  /Е.В.Телеш, А.П.Достанко // Современные средства связи: материалы  XVIII Междунар.научно-технич. конф., Минск, 15-16 октября 2013 г. УО ВГКС; ред.кол.: А.О.Зеневич [и др.] – Минск, 2013.– С.137–139.

20. Телеш, Е.В. Ионно-лучевое формирование поглощающих слоев тонкопленочных солнечных элементов из CuInGaSe2 /Е.В.Телеш, Черняк О.С., А.П.Достанко // Приборостроение-13: материалы Междунар. науч. конф., Минск, 20–22 ноября 2013 г.  БНТУ; ред.кол.: О.К.Гусев [и др.]. – Минск, 2013. – С. 376–377.

21. Телеш, Е.В. Формирование алмазоподобных покрытий /Е.В.Телеш, В.Я.Ширипов
// Технология обработки оптических элементов и нанесения вакуумных покрытий: тезисы докладов научно-практич. конф., г.Минск, 26–27 сентября 2013 г., ОАО «ММЗ им. В.И.Вавилова»; отв. за выпуск Б.Н.Сеник [и др.].–Минск, 2013.– С.21–22. 

22. Телеш, Е.В. Формирование оптических покрытий прямым осаждением из ионных пучков /Е.В.Телеш, Н.К.Касинский  // Технология обработки оптических элементов и нанесения вакуумных покрытий: тезисы докладов научно-практич. конф., г.Минск, 26–27 сентября 2013 г., ОАО «ММЗ им. В.И.Вавилова»; отв. за выпуск Б.Н.Сеник [и др.].–Минск, 2013.– С.13–14.   

24.Телеш, Е.В. Ионно–лучевое формирование структур Ag/ITO/полимер/ Е.В.Телеш, А.А.Белян  // Физика конденсированного состояния (ФКС-XXI): Материалы ГрГУ им. Я.Купалы; редкол.: Г.А.Хацкевич (гл. ред.) [и др.]  - Гродно: ГрГУ,  2013 г., С.218-220. 

25. Телеш, Е.В. Формирование функциональных слоев для гибких жидкокристаллических дисплеев/ Е.В.Телеш, С.В.Данилович, Г.В.Козак // Приборостроение-13: материалы Междунар. науч. конф., Минск, 20–22 ноября 2013 г.  БНТУ; ред.кол.: О.К.Гусев [и др.]. – Минск, 2013. – С. 378–379.

26. Телеш, Е.В. Применение вторичного плазменного разряда для формирования пленок оксидов и нитридов / Телеш Е.В., А.П.Ковалева // Физика конденсированного состояния (ФКС-XXI): Материалы ГрГУ им. Я.Купалы; редкол.: Г.А.Хацкевич (гл. ред.) [и др.]  - Гродно: ГрГУ,  2013 г., С.220-222. 

27.Рацкевич, Д.Г. Исследование процессов пассивации GaAs / Д.Г.Рацкевич, Е.В.Телеш// Физика конденсированного состояния (ФКС-XXII): Материалы. ГрГУ им. Я.Купалы; редкол.: Г.А.Хацкевич (гл. ред.) [и др.]. – Гродно: ГрГУ,  2014.– С.194–195.

28. Ковалева, А.П. Ионно-лучевой синтез тонких пленок АlN/ А.П.Ковалева, Е.В.Телеш// Физика конденсированного состояния (ФКС-XXII): Материалы. ГрГУ им. Я.Купалы; редкол.: Г.А.Хацкевич (гл. ред.) [и др.].  – Гродно: ГрГУ,  2014. – С. 174–175.

29. Телеш, Е. В. Исследование характеристик диодов с барьером Шоттки TiB2/n-GaAs/ Е.В.Телеш// Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2014. – 268 с. - (Вузовская наука, пром-сть, междунар. сотрудничество). –С.90–92.

30.Телеш, Е.В. Формирование контактных слоев из диборида титана для приборов с барьером Шоттки на арсениде галлия./Е.В.Телеш//. Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2014. – 268 с. – (Вузовская наука, пром-сть, междунар. сотрудничество). –С.92–94.

31. Телеш, Е.В. Пассивация полевых транзисторов на GaAs./Е.В.Телеш, А.П.Достанко//. Междунар.НТК, приуроч. 50-летию МРТИ-БГУИР., Минск, 18-19 марта 2014 г.: матер. конф.В 2 ч. Ч.2./редкол.: А.Н.Осипов [и др.].–Минск: БГУИР, 2014. 451 с.–С. 202–203.

32. Телеш, Е.В. Синтез покрытий из алмазоподобного углерода./ Е.В.Телеш//. Междунар.НТК, приуроч. 50-летию МРТИ-БГУИР., Минск, 18-19 марта 2014 г.: матер. конф.В 2 ч. Ч.2./редкол.: А.Н.Осипов [и др.].–Минск: БГУИР, 2014. 451 с. –С.202–203

33. Телеш, Е.В. Влияние температуры подложки на оптические характеристики пленок SiO2, полученных прямым осаждением из ионных пучков/ Е.В.Телеш, А.П.Достанко, А.Ю.Вашуров.// Современные средства  связи: материалы XIX Междунар. науч.-техн. конф., Минск,  14 – 15 октября 2014 г. / Высший государственный колледж связи; редкол.: 
А.О. Зеневич [и др.]. – Минск УО ВГКС, 2014. – С. 108–110.

34. Телеш, Е.В. Эмиссионный спектральный анализ состава пучков ионов из моносилана, кислорода и азота./ Е.В.Телеш, А.Ю.Вашуров//. II Всеросс. научн. интернет. конф. с междунар. участием «Спектрометрические методы анализа», Казань, сент.2014 г. Матер.конф. 23 сент. 2014 г. –С.154–157

35. Ковалева, А.П. Формирование износостойких покрытий на полимерных подложках/ А.П.Ковалева, Е.В.Телеш // Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций (РТ-2014): материалы 10-й Международной молодежной научно-технической конференции, Севастополь, 12-17 мая  2014 г. / Севастопольский нац. технический ун-т; редкол.:  Ю.Б. Гимпилевич [и др.].  – Севастополь, 2014.– С. 287. 

36. Телеш, Е.В. Влияние скорости нанесения на характеристики покрытий из диоксида кремния, полученных осаждением из ионных пучков./Е.В.Телеш, В.М.Титова//. Приборостроение-14: материалы Междунар. науч. конф., Минск, 19–21 нояб. 2014 г.  БНТУ; ред.кол.: О.К.Гусев [и др.]. – Минск, 2014. – С. 294–296.

37. Телеш, Е.В. Формирование пленок оксинитрида кремния реактивным ионно-лучевым распылением кварца/ Е.В.Телеш//. Приборостроение-14: материалы Междунар. науч. конф., Минск, 19–21 нояб. 2014 г.  БНТУ; ред.кол.: О.К.Гусев [и др.]. – Минск, 2014. – С. 392–394.

38. Телеш, Е.В. Оптические и электрофизические характеристики пленок алмазоподобного углерода / Е.В.Телеш, А.П.Достанко// Современные средства  связи: материалы XX Междунар. науч.-техн. конф., Минск,  14 – 15 октября 2015 г. / Высший государственный колледж связи; редкол.: А.О. Зеневич [и др.]. – Минск УО ВГКС, 2015. – С. 120-121.

39. Телеш, Е.В. Исследование состава пленок SiO2, полученных прямым осаждением из ионных пучков / Е.В.Телеш, О.В.Гуревич, А.Ю.Вашуров// Современные средства  связи: материалы XX Междунар. науч.-техн. конф., Минск,  14 – 15 октября 2015 г. / Высший государственный колледж связи; редкол.: А.О. Зеневич [и др.]. – Минск УО ВГКС, 2015. – С. 119-120.

40. Телеш, Е.В. Применение структурированных слоев серебра для формирования прозрачных электродов ЖК дисплеев/ Е.В.Телеш, А.А. Симаньков, С.В. Данилович, Г.В. Козак // Приборостроение-2015: материалы 8-й Междунар. науч. конф., в  2-х томах. –Т.2. Минск, 25–27 нояб. 2015 г. БНТУ.; ред.кол.: О.К.Гусев [и др.]. – Минск, 2015.–С.152–153.

41. Телеш, Е.В. Формирование функциональных слоев для гибких солнечных элементов   / Е.В.Телеш, А.П. Ковалева // Приборостроение-2015: материалы 8-й Междунар. науч. конф., в  2-х томах. –Т.2. Минск, 25–27 нояб. 2015 г. БНТУ.; ред.кол.: О.К.Гусев [и др.]. – Минск, 2015.–С.150–151.

42. Телеш, Е.В. Контроль качества пленок SiO2 методом электронного парамагнитного резонанса / Е.В.Телеш, Н.М. Лапчук, Т.М.Лапчук// Приборостроение-2015: материалы 8-й Междунар. науч. конф., в  2-х томах. –Т.1. Минск, 25–27 нояб. 2015 г. БНТУ.; ред.кол.: О.К.Гусев [и др.]. – Минск, 2015.–С.296–298.

Патенты

1. Способ изготовления алмазного теплоотводящего основания для лазерных диодных структур. Баранов В.В., Беляева А.К., Паращук В.В., Рябцев Г.И., Телеш Е.В. Патент РБ №14404. Опубл. 30.06.2011 г.

2. Способ получения тонких пленок ферромолибдата стронция. Каланда Н.А., Гурский Л.И., Телеш Е.В. Патент РБ № 14627, Опубл.19.01.2011г.

3. O.Yaroshchuk, E.Telesh, A.Khokhlov.  Alignment film for liquid crystals obtainable by direct particle beam deposition. Европейский патент EP 2309318, G02F 1/1337(2006.1), 13.04.2011. Bulletin 2011/15

4. Патент США US 8 767 153 , МПК G 02 F 1/1337 Ориентирующая пленка для жидких кристаллов, полученная прямым осаждением из пучка частиц. О.Ярощук, Е.Телеш, А.Хохлов, заявитель: Merc PatentGmbH; заявл. 13.01.2011 опубл. 1.07.2014)

5. M.Coelle, O.Parry, D.Sparrowe, O.Yaroshchuk, E.Telesh. Process of forming protective layer by particles having low energy. Eвропейский патент EP 2 368 282 В1, С23С 14/10, Н01L21/56, 25.03.2015,  Bulletin 2015/13.

Учебно-методические пособия

1. Телеш, Е.В. Производственные технологии: лабораторный практикум. Учебно-методическое пособие для студентов специальности 1-27 01 01 11 «Экономика и организация производства (радиоэлектронные и информационные услуги)» дневной и заочной форм обучения /Е.В.Телеш, В.Ф.Холенков, Г.М.Шахлевич//.–Мн.–БГУИР.–2014.–61 с. : ил.

2. Физико-химические основы микро- и наноэлектроники. Лабораторный практикум: пособие / А. П. Достанко [и др.]. – Минск : БГУИР, 2015. – 63 с. : ил.